新材料项目推介——17、平面结构的锑化物二类超晶格红外探测器及其制备方法

专利申请号:  

CN201510615752.3

专利类型:

发明

IPC 分类号:   

H01L31/105 H01L31/0304 H01L31/0352 H01L31/18

应用领域:  

半导体器件

摘要:   

本发明公开了一种平面结构的锑化物二类超晶格红外探测器，其包括沿设定方向依次分布的下电极、InAs/GaSb 或 InAs/InAsSb 超晶格吸收层、InAs/GaSb 超晶格或 GaSb 或 GaAsSb 接触层以及上电极， 并且于所述接触层内或所述接触层与超晶格吸收层内还局部分布有p 型区域。本发明还公开了一种制作所述红外探测器的方法。本发明提供的锑化物超晶格红外探测器使用了平面结构，避免了常规台面结构中由于刻蚀产生的表面漏电流，有利于降低红外探测器的暗电流和噪声，并简化了锑化物二类超晶格红外探测器的制作工艺， 同时本发明因采用了特殊设计的 pin 型探测器的能带结构和材料组合，还使得光生载流子的收集不受势垒阻挡，有效保证和提升了红外探测器的工作性能。

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